項目概況：
武漢國家存儲器基地位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城未來三路，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目。武漢國家存儲器基地為中國打破主流存儲器領域空白，實現產業(yè)和經濟跨越發(fā)展提供重要支撐，是國家重點支持的集成電路四大產業(yè)聚區(qū)之一，努力打造世界級的集成電路產業(yè)創(chuàng)新中心。我司再次簽約國家存儲基地熱水工程，確保全年基地熱水需求。
